ZnGa2O4∶Cr3+近红外长余辉荧光粉制备与光学性能研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1007-7162.2016.01.016

ZnGa2O4∶Cr3+近红外长余辉荧光粉制备与光学性能研究

引用
采用高温固相法制备了ZnGa2O4∶Cr3+近红外(660-1300 nm)长余辉荧光粉,并系统地研究了样品的荧光、长余辉、光激励发光及热释光性能.样品的余辉激发谱测试结果显示,ZnGa2O4∶Cr3+长余辉材料的余辉主要源自O2+-Ga3+之间的电荷迁移跃迁激发,而非Cr3+离子的本征跃迁激发.光激励发光性能的研究表明,ZnGa2O4∶Cr3+在紫外光激发的余辉完全衰减后可以被近红外光再次激发出明亮的余辉,这说明ZnGa2O4∶Cr3+在紫外光信息写入后可以用红外光进行信息读出.根据实验测试结果采用导带电子复合发光模型对样品的发光机理进行了详细的阐述.

ZnGa2O4∶Cr3+、长余辉、光激励发光

33

TB34(工程材料学)

国家自然科学基金资助项目21271048

2016-04-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

83-88

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

广东工业大学学报

1007-7162

44-1428/T

33

2016,33(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn