10.3969/j.issn.1007-7162.2002.03.004
三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱
用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统--三元准周期超晶格系统的电子隧穿.结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内,而杂质的存在对系统的电子透射率谱有明显的影响.
准周期超晶格、紧束缚、杂质、透射率
19
O742(晶体化学)
2004-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
14-17
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10.3969/j.issn.1007-7162.2002.03.004
准周期超晶格、紧束缚、杂质、透射率
19
O742(晶体化学)
2004-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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