逆向设计的硅基片上功率分束器

摘要：

硅基片上功率分束器是光子集成电路的重要组成,具有广泛的应用,比如反馈电路、抽头功率监测和光学量化等.纳米光子器件的设计方法大致可以分为正向设计方法和逆向设计方法.本文概述了正向设计方法和逆向设计方法的区别与联系,并且对逆向设计算法进行了归纳分类,此外,总结了近年来具有代表性的逆向设计的硅基片上功率分束器,包括多通道功率分束器、任意分束比功率分束器、多模式功率分束器、宽带功率分束器和多功能功率分束器,最后对逆向设计算法以及逆向设计的功率分束器的发展趋势进行了总结与展望.

关键词：硅基片上功率分束器、逆向设计方法、多通道功率分束器、任意分束比功率分束器、多模式功率分束器、宽带功率分束器、多功能功率分束器

所属期刊栏目：50

分类号：TN491(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点研发计划;中国博士后科学基金;国防科技大学基金;国防科技大学基金;湖南省自然科学基金项目;新世纪高校优秀人才计划

在线出版日期：2023-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共19页

页码：1-19