基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器

摘要：

本文报道了一种基于黑硅微结构的全硅PIN光电探测器.该器件结合了黑硅结构宽光谱高吸收的特性,以及PIN光电探测器高量子效率高响应速度的特点,通过在传统硅PIN光电探测器结构的基础上增加黑硅微结构层,在不影响响应速度的条件下,提高了探测器在近红外波段响应特性.并且针对纵向结构垂直入射PIN光电探测器时量子效率与响应速度相矛盾的问题,提出了解决方案.测试结果表明,该器件的量子效率可达80％,峰值波长为940 nm,光响应度达到0.55 A/W,暗电流降至700 pA,响应时间为200 ns.

关键词：全硅PIN光电探测器、黑硅、量子效率、光响应度、响应速度、暗电流

所属期刊栏目：48

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;科技部项目;四川省杰出青年科学基金;四川省科技厅项目;四川省科技厅项目

在线出版日期：2021-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：40-45