SiO2光学薄膜的吸收边特性

摘要：

二氧化硅(SiO2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用.本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据.进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论.

关键词：SiO2薄膜、带隙宽度、带尾能量、氧空位缺陷

所属期刊栏目：46

分类号：TB383;O484(工程材料学)

资助基金：中国科学院西部之光基金;国家自然科学基金资助项目61805247

在线出版日期：2019-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：11-17