10.3969/j.issn.1003-501X.2013.03.023
金属网格与金属谐振环复合结构的太赫兹透过特性
本文根据 SOI(Silicon-on-insulator)材料在太赫兹波段不透过太赫兹的特点,提出一种加工基于微机电系统(MEMS)可调谐太赫兹器件的新方案,并设计出与梳齿驱动加工工艺十分兼容的金属结构.此结构由金属网格和金属谐振环阵列复合构成,静态的测试表明结构在太赫兹波段显出带通滤波的特性,通过改变两个元件之间的位置,能够实现0.41~0.53 THz带通调谐.此结构加工方法简单,加工过程中只需要一块掩膜版,并且金属结构在MEMS梳齿结构释放之前就已经光刻形成,不需要两个图形的对准工艺,同时也避免了后续光刻对加工好MEMS梳齿结构的破坏.金属网格和金属谐振环构成的复合结构为微机电系统(MEMS)可调谐太赫兹器件提供了一种简单经济的加工方案和新的结构,具有较大的理论价值和实际意义.
太赫兹、人工电磁材料、微机电系统
TN215(光电子技术、激光技术)
2013-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
146-150