大面积高深宽比微结构硅片的热氧化实验研究

摘要：

利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺.热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响了这些器件的应用.本文以5英寸硅片为例,研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题,定性分析了产生形变的力学因素,提出了减小形变的氧化方法.首先实验制作了具有高深宽比微结构的硅片,采用不同的氧化方法,比较了变形的大小.结果表明,通过控制热氧化过程中的温度来控制热膨胀系数和在热氧化过程中施加外部热塑应力等方法能够有效地减小热氧化变形量.

关键词：硅、热氧化、高深宽比、热膨胀系数、热塑性形变

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.99(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目11074172,10774102;深圳市科技计划项目CXB201005240011A,JC200903130326A

在线出版日期：2012-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：105-110