10.3969/j.issn.1003-501X.2011.07.010
CCD强光饱和效应的温度因素分析
采用1.06 μm的连续激光对可见光CCD成像系统进行干扰实验,依次观察到了饱和串扰、串扰亮线加粗全屏饱和与全屏布满黑白雪花点的实验现象.利用有限元分析的方法对实验中的探测器升温情况进行模拟计算.并通过数值分析,发现随着温度的升高,暗电流不断增大,当温度超过350 K时,增大的速度显著上升;像元的饱和阈值相应地减小,当温度达到350 K时,其数值就已经减为零.根据模拟升温的大小,结合温度升高时探测器暗电流、像元饱和阈值的变化,对实验现象进行了合理的解释.结果表明:除了考虑光电转换产生的光电子以外,由于激光辐照导致探测器表面升温,进而引起暗电流增大和像元饱和阈值减小,是CCD产生饱和效应的重要影响因素.
CCD饱和效应、有限元分析、暗电流、像元饱和阈值、温度影响
38
TN249(光电子技术、激光技术)
国家973计划资助项目
2011-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
54-58