基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真

摘要：

基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布,通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大.

关键词：光刻模拟、SU8胶、厚胶轮廓、曝光模型

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10575097,10775128;中国科学院"百人计划";高等学校博士学科点专项科研基金20060358050;"111引智工程"B07033

在线出版日期：2010-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：32-39