高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度

摘要：

微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200 μm×60 μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化.结果表明,单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36 A稳态工作的激光器阵列冷却到342 K,9个微通道可以冷却到306 K.仿真了增加微通道间距的温度分布,发现为间距260 μm的5个微通道热沉,可以将激光器冷却到308 K.

关键词：高功率激光器阵列、微通道、温度、有限元法、激光器

所属期刊栏目：37

分类号：O472.2(半导体物理学)

资助基金：教育部高等学校博士学科点专项科研基金20070080001;河北省自然科学基金F2007000096

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：106-109,114