5 Gb/s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制

摘要：

基于0.5μm GaAs PHEMT标准工艺研制了850 nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器.论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性.光接收机最高工作速率5 Gb/s,其中,探测器光敏面直径50 μm,电容0.51pF,暗电流小于30 nA.跨阻放大器-3 dB带宽接近10 GHz,跨阻增益约43 dBΩ,最小等效输入噪声电流密度约为17.6 pA/Hz1/2.

关键词：光电集成电路、PHEMT、PIN、跨阻放大器、ATLAS

所属期刊栏目：35

分类号：TN15(真空电子技术)

资助基金：单片集成电路与模块国家级重点实验室基金9140C1406020708

在线出版日期：2009-02-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：29-32,72