808nm半导体激光器的腔面反射率设计
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1003-501X.2008.09.009

808nm半导体激光器的腔面反射率设计

引用
通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率,内损耗、透明电流密度、模式增益等.根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线.进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合.通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下.

半导体激光器、反射率、镀膜、功率转换效率、腔面

35

TN248(光电子技术、激光技术)

国家自然科学基金60676035;河北省自然科学基金F2005000084

2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

41-44

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光电工程

1003-501X

51-1346/O4

35

2008,35(9)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn