10.3969/j.issn.1003-501X.2008.09.009
808nm半导体激光器的腔面反射率设计
通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率,内损耗、透明电流密度、模式增益等.根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线.进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合.通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下.
半导体激光器、反射率、镀膜、功率转换效率、腔面
35
TN248(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60676035;河北省自然科学基金F2005000084
2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
41-44