宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究

摘要：

介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的结构和工作过程.采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布.结果表明,探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高.离子能量分布概率密度函数为单峰函数,其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动,随着引出电压的升高向高能量方向移动.当引出电压为200～1200V时,离子平均能量为600～1600eV,呈线性规律变化.这种离子源的离子平均初始动能约为430～480eV.了解和掌握离子源的这些特性和参数,可以有效的对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制,促进薄膜制备工艺更好地进行.

关键词：离子能量、能量分布、离子源、离子束辅助沉积(IBAD)、薄膜

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：教育部重点科技项目101-050502;陕西省教育厅专项科研计划项目05JK222;陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室基金项目ZSKJ200401

在线出版日期：2008-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-27,53