极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计

摘要：

极紫外投影光刻(EuvL)两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构.本文分析了这两种结构在EUVL不同发展阶段的设计特点,并依据有限距反射系统像差理论,从解析解出发,设计了两套平场两镜系统,分别用于对分辨力为70nm、无遮拦、环形视场扫描曝光系统及目前研制的EUVL32nm技术节点小视场曝光系统的研究.系统设计指标满足极紫外投影光刻要求.

关键词：极紫外投影光刻、投影物镜、平场两镜系统、光学设计、光刻技术

所属期刊栏目：34

分类号：TB851(摄影技术)

资助基金：国家自然科学基金69625710

在线出版日期：2008-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：113-117