磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电膜的性能研究

摘要：

选择Zn02与A1203质量比为97:3的靶材为溅射源,用射频磁控溅射法室温下在玻璃基底上沉积AZO/A～AZO薄膜,讨论了氧流量变化对薄膜透光率、方阻及表面形貌的影响并深入分析了机理.研究结果表明,氧流量变化会导致薄膜沉积厚度的变化,氧流量为4时薄膜沉积速率最快.沉积AZO时充入氧气会使整个膜系的透光率不随Ag层增厚明显降低,并且会使膜系的方阻降低.在最优氧流量为4L/min(标准状态下,下同)上下各沉积59nm的AZO与氧流量为0时沉积33nm银层相匹配的复合膜在可见光区(包括基底)的透光率达到90%,方阻为2.5Ω/□.

关键词：磁控溅射、AZO/Ag/AZO、透光导电膜、透射率

所属期刊栏目：34

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2008-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41