厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响

摘要：

针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因.对厚度24μm的光刻胶AZ P4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm2的条件下进行了数值模拟和实验.当曝光光强为3.2mW/cm2时仅需300s,即可显影完全,而当曝光光强为0.63mW/cm2时需要的时间长达2400s,才显影完全,且面形轮廓差异较大.因此,在厚胶光刻中,当曝光光强较大时应适当减小曝光量,反之,应适当增加曝光量.

关键词：厚胶光刻、光化学反应、光强、动力学模型

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60276018;中国科学院资助项目

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-40