10.3969/j.issn.1003-501X.2004.z1.036
LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析
用AFM对蓝色OLED的空穴传输层LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO表面扫描.结果均呈岛状结构.LiBq4沉积在ITO上成膜较差,在CuPc上成膜较好.说明加入CuPc能有效改善LiBq4的成膜质量.XPS对样品表面In3d和Sn3d的电子状态分析也证实ITO表面沉积LiBq4膜存在裂缝,加入CuPc可抑制裂缝出现.分析指出,CuPc由于Cu(Ⅱ)离子半满的dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使LiBq4的沉积状态改善.
发光材料、蓝色OLED、缓冲层CuPc
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TN383(半导体技术)
国家自然科学基金60276026;甘肃省自然科学基金ZS031-A25-012-G
2005-03-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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