电子束散射角限制投影光刻掩模研制

摘要：

掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术.通过优化工艺,制作出具有"纳米硅镶嵌结构"的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形.研制出的SCALPEL掩模,其晶片尺寸为80mm,图形线宽达到0.1μm,经缩小投影曝光得到78nm的图形分辨力.

关键词：电子束光刻、掩模、投影光刻

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院知识创新工程项目

在线出版日期：2004-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16