用多光束干涉实现纳米级阵列图形的长焦深光刻

摘要：

用多束相干光适当组合干涉曝光,得到的图形与基片在干涉场内的纵向位置z无关,与x、y位置呈周期关系,光的相干长度对应传统光学光刻的焦深.该方法适合大尺寸基片上纳米级孔、锥阵列图形的制作.模拟了双光束双曝光、三光束单曝光和四光束单曝光的干涉场光强分布,用波长为441.6nm的激光曝光得到尺寸为200nm的孔阵和点阵的图形.

关键词：干涉光刻、多光束干涉、焦深、阵列图形

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60276043

在线出版日期：2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11