10.3969/j.issn.1003-501X.2003.04.001
微透镜列阵浮雕深度控制的新方法
在对材料光刻阈值特性进行研究的基础上,提出了一种可有效克服材料非线性特性影响,提高微透镜浮雕深度的新方法--基底曝光法.在曝光之前,对抗蚀剂整体施加一定量的曝光,提升抗蚀剂刻蚀基面.该方法可制作出面形均方根误差小于3%的微透镜阵列.
微透镜、浮雕深度、光刻、曝光阈值、微光学元件
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TN256(光电子技术、激光技术)
国防预研基金;中国科学院知识创新工程项目
2003-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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