检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计

摘要：

为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变,同时避免基底弯曲效应的影响,设计了一种双光束探测干涉仪,通过反馈控制和锁相检测技术,实现了高稳定度、高分辨力的目标,最小可探测形变可达到0.001nm.系统采用计算机控制测量和数据处理,使测量更加便捷、准确.

关键词：双光束干涉仪、压电效应、弯曲效应、薄膜测量

所属期刊栏目：29

分类号：TH744.3(仪器、仪表)

资助基金：香港创新科技基金ITF AF147/98

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48