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10.3969/j.issn.1003-501X.2001.01.001

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

引用
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题。

相移掩模、光学邻近效应校正、光刻技术

28

TN305.7(半导体技术)

国家自然科学基金69776028;中国科学院所长基金;国家重点实验室基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1-5

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光电工程

1003-501X

51-1346/O4

28

2001,28(1)

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