10.3969/j.issn.1003-501X.2001.01.001
相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题。
相移掩模、光学邻近效应校正、光刻技术
28
TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金69776028;中国科学院所长基金;国家重点实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1-5
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10.3969/j.issn.1003-501X.2001.01.001
相移掩模、光学邻近效应校正、光刻技术
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TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金69776028;中国科学院所长基金;国家重点实验室基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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