植酸掺杂聚吡咯制备及电化学性能

摘要：

采用植酸作为掺杂剂,通过原位化学氧化聚合制备植酸掺杂聚吡咯,并利用扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)仪表征其表面形貌与结构,利用循环伏安(CV)、恒电流充放电(GCD)、交流阻抗(EIS)测试其电化学性能.FTIR结果表明,植酸与吡咯单体间的多重氢键及 π–π 相互作用有利于导电聚吡咯的成功聚合及有序生长.吡咯单体与植酸的比例最终影响掺杂聚吡咯的微观结构及性能.SEM与XRD结果表明,当吡咯:植酸的物质的量之比为3:1时,掺杂聚吡咯(Pyp3)表现为亚微米球相连的三维网络结构与良好的链规整性,这有利于其电化学性能的提高.利用GCD曲线计算其比电容可达265 F/g,与纯聚吡咯(153 F/g)相比有较大程度的提高,CV与EIS测试表明,与纯聚吡咯相比,Pyp3表现出更理想的超电容特性.

关键词：植酸、聚吡咯、掺杂、电化学性能

所属期刊栏目：48

分类号：TB332(工程材料学)

在线出版日期：2020-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：95-99