体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析

摘要：

利用简化的半导体电学方程,数值模拟获得了各种电学参数的分布,并结合简化电阻模型,模拟了体硅、SOI及DSOI的MOSFET器件的温度场.结果表明MOSFET器件的沟道,特别是靠近漏的区域电场强度及电流密度等各项电、热特性参数在该区域变化剧烈,是最主要的热源区.

关键词：MOSFET、热模拟、电模拟

所属期刊栏目：24

分类号：TK124(热力工程、热机)

资助基金：国家自然科学基金59995550-1

在线出版日期：2003-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：487-489