TSV转接板硅通孔的热应力分析

摘要：

硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注.该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响.建立了TSV转接板的二维有限元模型,并用于验证解析解的适用性.结果表明:当TSV孔距达到孔直径的3倍以上时,解析解可以给出准确的转接板上铜和硅的应力结果；通过减薄镀铜层可以减小硅上的应力；转接板上应力与加载的温度变化成线性关系.

关键词：硅通孔(TSV)、转接板、解析解、有限元、热应力

所属期刊栏目：30

分类号：O343.6(固体力学)

资助基金：国家自然科学基金项目11272018;中国TSV技术攻关联合体一期课题项目

在线出版日期：2013-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：262-269