侵入接触带高密度电阻率法低阻异常分析

摘要：

中国散裂中子源(CSNS)项目可行性工程地质勘察阶段,在场地部分区域发现了大范围低阻带异常现象,通过分析场址工程地质条件,认为主要与花岗岩和变质岩的接触带有关,推测低阻是由侵入接触带破碎、富水导致.随后工程地质初步勘察阶段完成的钻探、超声波测井资料表明:接触带并没有富水迹象,而高密度电法低阻异常主要是由花岗岩侵入接触带岩体中富含的黄铁矿(FeS2)所致.

关键词：侵入接触带、高密度电阻率法、异常分析

所属期刊栏目：37

分类号：TU19(建筑基础科学)

在线出版日期：2009-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：90-93