一款JFET低噪声前置放大器的设计

摘要：

为了与传感器相匹配,得到放大器的最小噪声系数,本文从对结型场效应管的等效输入电压噪声eN及等效输入电流噪声iN的分析中,得到结型场效应管的最佳源电阻比双极型晶体管要高出2～3个数量级的结论,并设计制作了一款结型场效应管低噪声前置放大器实用电路.并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入电压噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71MΩ,等效输入电压噪声约为0.87nV/Hz,是一种适合于高内阻传感器的较为理想的低噪声前置放大器电路,也可以通过阻抗变换后用于磁力仪等需要低噪声放大的场所.

关键词：结型场效应管(JFET)、低噪声、前置放大器

所属期刊栏目：06

分类号：P631

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划项目2007AA12Z129

在线出版日期：2009-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：348-351