半导体桥电热性质初探
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1006-7051.2006.01.024

半导体桥电热性质初探

引用
介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理.通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系.但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度.本文同时给出了一个计算升温时间的公式.

半导体桥、电热性质、V型角、发火时间

12

TQ565+.3;TD235.22+9

2006-05-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

90-91,47

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

工程爆破

1006-7051

11-3675/TD

12

2006,12(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn