10.3969/j.issn.1000-9035.2014.01.008
二氢硫辛酸抗氧化性机理的理论研究
分别在B3LYP/6-31G(d,p)和B3LYP/6-311++G(d,p)水平下,对二氢硫辛酸及可能的解离途径中形成的自由基进行结构优化,采用S-H键解离焓(EBD)和分子的电离势(EIP)为理论指标,探讨了二氢硫辛酸可能的抗氧化性机理,并研究了溶剂(水和苯)效应的影响.结果表明,C(1)上S-H断裂形成的自由基b较易形成;以EBD和EIP为理论指标,可以较好的说明分子的抗氧化性及溶剂效应对抗氧化性的影响.随着溶剂的极性增加,EBD变化较小,而EIP则显著减小,表明溶剂效应对清除自由基的电子转移反应机理影响更大.分子最高占据轨道HOMO能级顺序与EIP数值所预测的抗氧化性顺序一致.
二氢硫辛酸、抗氧化性、密度泛函、理论研究
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O641(物理化学(理论化学)、化学物理学)
中国地质大学武汉中央高校基本科研业务费专项资金资助项目CUGL110202
2014-03-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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