熔盐电精炼硅制备多晶硅的NaF-KC1熔盐净化及净化作用
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10.3969/j.issn.1000-9035.2012.03.009

熔盐电精炼硅制备多晶硅的NaF-KC1熔盐净化及净化作用

引用
采用预电解净化方法,研究了温度、电压、时间等对NaF-KC1熔盐净化的影响,结果发现温度800℃,预电解电压2.5V,预电解时间4h为熔盐净化合适条件.采用四电极法测量了800℃,净化前后NaF-KCl混合熔盐的电导率,计算了活化能,结果发现熔盐净化后电导率提高.进行了恒电位电精炼法制备多晶硅,采用XRD,SEM,EDS和ICP-ms对熔盐净化前后获得的多晶硅进行了表征,发现熔盐净化使多晶硅产品纯度明显改善,纯度达到99.99%.

NaF-KC1、预电解净化、电导率、电精炼、多晶硅

28

O643(物理化学(理论化学)、化学物理学)

中央高校基本科研业务费专项基金资助项目N100302008;辽宁青年博士基金资助项目20111011

2012-09-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

221-226

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1000-9035

22-1262/O4

28

2012,28(3)

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