氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能

摘要：

为获得大量高质量、且尺寸均一的氧化铟纳米线,以高纯度氧化铟粉末与石墨粉末的混合物为原材料,利用化学气相沉积法制备出尺寸约50 nm的氧化铟纳米线.分别以二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)材料作为栅极绝缘层,计算分析其构筑的场效应晶体管的电学性能(迁移率、阈值电压、开关比等).对比3种场效应晶体管可知以氮化硅为栅绝缘层材料,提升器件电学性能是最直接也是效果最显著的.其器件的电学性能优于其它2种.其器件的迁移率高达149 cm2·V-1·s-1,器件的开关比高达107.

关键词：氧化铟、纳米线、场效应晶体管、迁移率、阈值电压

所属期刊栏目：31

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：陕西省科学技术研究发展计划项目2016JM1018

在线出版日期：2019-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：446-451