半导体纳米线的原位应变研究

摘要：

利用原位电子显微方法对半导体纳米线进行了原位应变研究,结果表明:在轴向压应力的作用下,ZnSe纳米线可以发生明显的塑性形变,导致纳米线发生大应变.通过在纳米尺度上控制压力探针位移的精度,可实现对纳米线应变的准确控制,进而达到纳米线应变量的可设计性和可控制性.

关键词：原位电子显微镜、半导体纳米线、设计、控制

分类号：TP3;TG1

资助基金：国家自然科学基金面上项目10774174,60796078

在线出版日期：2011-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74