SnO2/ITO光电化学电极制备及性能研究

摘要：

采用商品化氧化铟锡(ITO)导电玻璃、纳米SnO2水胶体分散液,通过旋涂法制备了高性能SnO2/ITO电极,考察了 SnO2旋涂浓度、旋涂量、Triton X-100浓度、煅烧温度对SnO2/ITO电极性能的影响,并优化了缓冲体系、pH、浓度及偏压条件.结果表明,当SnO2水胶体分散液浓度15％、Triton X-100浓度0.01％、煅烧温度450℃时,制备的SnO2/ITO电极具有较高的热稳定性和光电化学性能;草酸-草酸钠缓冲体系有利于光电流的产生,当草酸浓度为30 mmol/L(pH6.0)、偏压为0.5 V时,可以产生较高的稳态光电流信号,以Ru(bpy)2(dppz)2+为光电化学信号探针,检测限为10 nmol/L.考察了 ITO电极的性能差异性,同一批次及不同批次之间的光电流信号一致性相对标准偏差(RSD)在3.9％～5.6％之间.

关键词：氧化铟锡电极、光电化学、制备、优化

所属期刊栏目：41

分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：北京市自然科学基金;国家自然科学基金;河北省重点研究计划项目;河北省重点研究计划项目

在线出版日期：2022-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：267-272