纳米镍修饰的氧化铜掺杂的异戊巴比妥电化学传感器制备与应用
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10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2015.0113

纳米镍修饰的氧化铜掺杂的异戊巴比妥电化学传感器制备与应用

引用
先将合成的纳米镍修饰裸玻碳电极,再在修饰电极表面热聚合一种以甲基丙烯酸为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、纳米氧化铜掺杂的异戊巴比妥分子印迹敏感膜.研究了印迹电极的最佳成膜条件及其最佳实验条件.采用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的电化学性能进行表征.使用红外光谱和扫描电镜分别探究此印迹敏感膜的结构及表面形貌.在最佳实验条件下,以K3Fe(CN)6为分子探针的差分脉冲伏安法(DPV)峰电流响应值与异戊巴比妥的浓度在6.5×10-8~1.8×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9986);检出限为1.1×10-9 mol/L(S/N=3).传感器能用于猪肉中残留异戊巴比妥的检测,加标回收率在96.5% ~ 103.2%之间.

异戊巴比妥、马来松香丙烯酸乙二醇酯、纳米氧化铜、纳米镍、电化学传感器

34

O657.1(分析化学)

国家自然科学基金;广西自然科学基金重点项目;广西壮族自治区高等学校项目;卓越学者计划项目;广西壮族自治区研究生教育创新计划

2015-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

510-514

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2015,34(5)

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