ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素

摘要：

用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中磷等12种杂质元素.实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解.在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si,纯度大于9N)可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应.在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为5～ 50 ng/mL,回收率在93％～105％,相对标准偏差RSD≤9.8％(n=11).测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合.

关键词：电感耦合等离子体原子发射光谱仪、太阳能级硅、洁净室、杂质元素

所属期刊栏目：33

分类号：O657.3(分析化学)

在线出版日期：2014-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：855-859