亚硝酸根在纳米氧化锆-CTAB复合物膜修饰电极上的电化学行为及测定

摘要：

制备了纳米ZrO2,采用XRD和原子力显微镜技术加以表征.构建了十六烷基三甲基溴化铵-纳米ZrO2修饰电极.用循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了亚硝酸根(NO2-)在该修饰上的电化学行为,结果表明,该修饰电极对NO2-的氧化具有良好的电催化能力,示差脉冲伏安信号与其浓度在6×10-7～1.6×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.3 ×10-7 mol/L(S/N=3).此外,方法已用于NO2-样品的测定.

关键词：亚硝酸根、纳米氧化锆、十六烷基三甲基溴化铵、修饰电极

所属期刊栏目：32

分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：安徽省教育厅自然科学基金项目KJ2012Z399;安徽省自然科学基金青年项目1208085QB33;安徽省教育厅自然科学基金重点项目KJ2012Z399,KJ2011A260,KJ2012A266,KJ2012A267;宿州学院科研平台开放课题2012YKF04

在线出版日期：2013-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：56-58