正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择

摘要：

硒代胱氨酸在硒-金(Se-Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰Ⅱ(-500mV左右)和峰Ⅲ(-327mV左右),以峰Ⅱ的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se-Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1 mol/L KCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol/L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol/L.均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理.依此制备的Se-Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性.

关键词：正交设计、均匀设计、硒-金膜修饰电极、硒代胱氨酸、Matlab程序

所属期刊栏目：22

分类号：O657.1(分析化学)

资助基金：广东省自然科学基金970630;国家基金-硒杂环化合物及其自组装膜的研究20271022

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12