AgBiS2/Bi2S3分子印迹光电化学传感器用于测定残杀威

摘要：

构建了一种基于AgBiS2/Bi2S3的分子印迹光电化学传感器,用于杀虫剂残杀威的检测.采用溶剂热法,在钛片基底上合成AgBiS2/Bi2 S3复合材料.以残杀威为模板分子,邻苯二胺为功能单体,通过电聚合在修饰AgBiS2/Bi2 S3复合材料的钛片上电沉积形成分子印迹聚合物膜,可对残杀威产生特异性识别.残杀威与印迹孔穴特异性结合后,阻碍电子供体穿过孔穴到达电极表面,导致光电流降低,据此进行残杀威的检测.残杀威浓度的对数值与光电流在1.0×10-12～5.0×10-10mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.3×10-13 mol/L.将此传感器用于水果等实际样品中残杀威残留的检测,加标回收率介于101.0％ ～103.1％之间.

关键词：分子印迹、光电化学传感器、残杀威、AgBiS2/Bi2S3复合材料、农药残留

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资助基金：本文系国家自然科学基金项目;广西自然科学基金项目;广西岩溶地区水污染控制与用水安全保障协同创新中心项目资助

在线出版日期：2020-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：396-404