基于聚酪氨酸/铋修饰玻碳电极的Pb2+传感器研究

摘要：

采用循环伏安法及原位镀铋制备了聚酪氨酸/Bi复合膜修饰玻碳电极(p-Tyr/Bi/GC),并用交流阻抗谱及扫描电镜表征了复合膜电极的电子传递阻抗及表面形态.发现聚酪氨酸膜能促进电极表面电子交换,有利于高灵敏Pb2+传感器的研制.以复合膜电极对Pb2+的方波阳极溶出伏安响应电流探讨了聚酪氨酸修饰玻碳电极的最佳制备及测试条件.结果表明电极制备液中酪氨酸的最佳浓度为1.5 mmol·L1,聚合圈数为15;测试液中Bi3+的最佳浓度为1.0μmol L-1,pH值为6.0,富集电位为-1.20 V.在最佳条件下,复合膜电极对Pb2* 的响应线性方程为:Ip(μA)=0.503 2+54.68c(μxmol·L-1)(r =0.994 7),线性范围为0.01～0.16 μmol·L-1,检出限(3S/k)为0.8 nmol·L-1.复合膜电极具有灵敏度高、稳定性好、抗干扰能力强的特点,用于茶叶样品中铅的测定,回收率为90.6％-96.3％,相对标准偏差不大于3.9％.

关键词：聚酪氨酸、铋、玻碳、铅、方波阳极溶出伏安法

所属期刊栏目：40

分类号：O657.1;O614.433(分析化学)

资助基金：广东省科技计划项目;海关总署科研项目

在线出版日期：2021-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：383-388