纳米氢氧化钴原位修饰碳糊电极固-液微萃取及电化学检测辛硫磷

摘要：

运用纳米氢氧化钴原位修饰碳糊电极微分脉冲伏安(DPV)法检测了辛硫磷.在外加电位下辛硫磷分子被萃取到电极表面,并与纳米氢氧化钴相互作用形成络合物,在-0.489 V处得到1还原峰,且还原峰电流随扫速线性增长,表明电极上的还原过程受吸附控制.吸附过程满足Temkin等温吸附模型.pH与电位的关系表明辛硫磷的还原过程为1电子1个质子反应.运用交流阻抗方法考察了反应过程,并辅以理论计算,表明反应为自发过程,计算结果与循环伏安法一致.采用该体系检测辛硫磷,其还原峰电流与辛硫磷浓度的对数分别在3.333 × 10-13～3.333×10-8 mol/L和3.333×l0-8～3.333×10-6 mol/L范围内呈线性关系,检出限(S/N=3)可达3.333×10-13 mol/L.该方法具有良好的重现性及选择性,用于菠菜中辛硫磷农药的检测,结果满意.

关键词：纳米氢氧化钴、碳糊电极、辛硫磷

所属期刊栏目：38

分类号：O657.1;F767.2(分析化学)

资助基金：国家科技部国际合作重大项目2004DFA02700;国家自然科学基金项目20875063;辽宁教育厅项目2004-c022;国家电分析重点实验室项目2006-06;沈阳市科技局基金项目2007-GX-32

在线出版日期：2019-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：403-410