氯霉素在p-PTA/CS-AB/GCE修饰电极上的电化学行为及测定

摘要：

制备了聚磷钨酸/壳聚糖-乙炔黑修饰电极(p-PTA/CS-AB/GCE),采用循环伏安法(CV)研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为.结果表明,在pH 6.0的PBS溶液中,氯霉素(CAP)在该修饰电极上出现1个还原峰,在40～400 mV/s扫速范围内,CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系,说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程.用差分脉冲伏安法(DPV)对不同浓度的CAP进行检测,在5.0×10-7～1.0×10-4mol/L浓度范围内,还原峰电流与浓度呈线性关系,检出限(S/N=3)为5.13×10-8mol/L.用该方法对氯霉素片进行检测,相对标准偏差(RSD)为1.4％,回收率为97.7％～105.1％.

关键词：氯霉素、磷钨酸、壳聚糖、乙炔黑、差分脉冲伏安法、修饰电极

所属期刊栏目：35

分类号：O657.1;R978.1(分析化学)

资助基金：四川省高校科技创新团队建设项目2010008

在线出版日期：2016-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：563-568