Na2SO4水溶液中Mg-10Gd-2Y-0.5Zr微晶薄膜的电化学腐蚀行为
利用磁控溅射技术制备了晶粒尺寸为300 nm~400 nm的GW102K(Mg-10Gd-2Y-0.5Zr)微晶薄膜.通过动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究微晶薄膜在0.2 mol/L Na2SO4溶液中的腐蚀行为.极化曲线结果表明,微晶化加速GW102K靶材合金的阴极过程,而抑制其阳极过程.EIS结果表明,微晶化降低GW102K靶材合金在自腐蚀电位下的转移电阻和腐蚀产物膜电阻,从而降低其耐蚀性.微晶化提供大量的晶粒边界,氢原子通过晶粒边界快速扩散,生成氢化物,从而加速GW102K靶材合金的阴极反应速率.此外,微晶化促进金属的阳极溶解,使微晶薄膜表面形成大量均匀的腐蚀产物,从而抑制金属的进一步溶解.
Mg-10Gd-2Y-0.5Zr、微晶薄膜、腐蚀行为、氢化物、磁控溅射
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TG174.2(金属学与热处理)
国家自然科学基金50001013和50671113
2011-01-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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