单晶硅化学蚀刻行为的研究

摘要：

用HF+HNO3溶液蚀刻单晶硅表面,通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化,研究了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响.结果表明,温度对蚀刻速率的影响较大,温度升高使表面蚀刻不均匀,厚度急剧减小;硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2.0 mol/L时变化较显著;室温时用1.5 mol/L HF+HNO3蚀刻15 min获得了蚀坑大小适中(10 μm～15 μm)、分布均匀的多孔状表面.

关键词：单晶硅片、化学蚀刻、表面形貌

所属期刊栏目：19

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2007-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：269-271