离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较

摘要：

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。

关键词：半导体探测器、温度特性、离子注入型、金硅面垒型

所属期刊栏目：31

分类号：TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：26-28