少突胶质细胞电离辐射损伤机制的研究进展

摘要：

少突胶质细胞是中枢神经系统(CNS)电离辐射的重要靶细胞.了解少突胶质细胞的辐射损伤机制,对增强CNS对辐射耐受性、防护和治疗CNS的辐射损伤具有重要意义.本文介绍了电离辐射对少突胶质细胞膜的直接损伤、凋亡、氧化应激、诱导一系列基因表达、兴奋毒性损伤、神经营养因子缺乏、胶质细胞产物的作用等细胞机制,以及辐射诱导少突胶质细胞损伤的细胞凋亡信号转导及基因表达等分子机制.

关键词：少突胶质细胞、电离辐射、细胞与分子机制

所属期刊栏目：26

分类号：R14(放射卫生)

资助基金：中国科学院资助项目30170287;江苏省卫生厅科研项目K2004067

在线出版日期：2006-04-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：24-28,34