10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2021120004
氮化铝陶瓷中氧质量分数及其分布的测定
氮化铝陶瓷以其优异的导热性能成为集成电路、半导体及大功率器件的重要封装材料,然而杂质氧含量(质量分数)直接影响着氮化铝陶瓷的导热性能.准确测定氮化铝陶瓷内氧含量(质量分数)及其分布十分重要.在惰性熔融红外吸收法基础上,对氮化铝陶瓷中不同形式氧含量分析方法进行了研究.通过步进式升温模式对样品中的表面吸附氧、晶界氧和晶格氧的氧含量进行分开测定,探讨了坩埚、裕料的选择及测试过程对结果的影响,分析了石墨粉含量对晶界氧的释放作用,最终优化了升温程序、加粉顺序以及称样量.通过氮化铝陶瓷样品多次平行试验对测定方法的准确性进行了验证,实测晶界氧和晶格氧含量的相对标准偏差分别为4.5%、8.5%,能够满足相关科研要求.
氮化铝、氧分布、惰性熔融、红外吸收法
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O659.2(分析化学)
河北省省级科技计划资助项目20311001D
2023-05-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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