PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究
采用粉末冶金法制备了压电陶瓷材料Pb0 92La0.08(ZrxTi1-x)O3(简称PLZT),研究了Zr与Ti的原子比对材料物相组成、显微结构以及介电、压电性能的影响.XRD和SEM分析结果表明,当0.64≤x≤0.66时,材料近于准同晶相界;x=0.65时,所得密度最高,达到7.62g/cm3,相对密度为96.33%,介电、压电常数和机电耦合系数最大,分别为εr=1182,d33=136.8pc/N,Kp=0.284,具有优良的综合电学性能.其原因主要是该陶瓷在电场作用下易发生准同晶相变.
PLZT、压电陶瓷、准同晶型相界、显微组织、性能
28
TG1;TM2
国家攻关项目JPPT-115-2-714
2010-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
163-166,171