SiC颗粒的氧化行为研究

摘要：

研究了SiC颗粒在氧化温度分别为1 000、1 100、1 200和1 300℃、保温时间分别为2、4、6和8h的氧化行为,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了SiC颗粒氧化前后的形貌和物相变化,根据质量守恒推导了氧化层(SiO2)厚度的计算公式.研究结果表明:当氧化温度低于1 200℃时,氧化速率主要受氧化温度控制;当氧化温度高于1 200℃时,氧化前期的氧化速率主要受氧化时间控制.氧化温度为1 000℃时,氧化后SiC颗粒形貌变化不明显,且氧化产物为不定形相;氧化温度为1 200℃和1 300℃时,SiC颗粒表面钝化现象明显,无定形SiO2逐渐转化为方石英晶体.以质量守恒建立的氧化层厚度计算公式可以较好的预测氧化后氧化层的厚度.

关键词：SiC、氧化行为、氧化温度、氧化时间、氧化层厚度

所属期刊栏目：33

分类号：TB330.1;TQ127.2;TG142.1

资助基金：山西省基础研究计划自由探索类面上项目;山西省留学回国人员科技活动择优资助项目;河南省科技攻关项目

在线出版日期：2023-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：84-87,108