Pb掺杂对SPS制备半导体用Mg3Sb2材料结构及热电性能的影响

摘要：

选择半导体用Mg3Sb2作为测试基材,通过Pb掺杂制备Mg3Sb2Pbx化合物,并分析了 Pb掺杂过程引起的载流子有效质量与迁移率的变化.结果表明:Mg3Sb2中的Pb掺杂量为0.02～0.03时较优.Mg3Sb2Pbx试样形成了致密组织,密度达到了理论密度95％以上,形成了相近的断口微观形貌.元素Sb、Mg、Pb都呈均匀分布状态,未发生元素偏聚,可以推断试样各部位的组织成分均匀,具备相近的性能.提高Pb含量后,试样获得了更高电导率,Seebeck系数不断降低.随着Pb掺杂量的增大,材料的载流子迁移率降低.随着温度逐渐升高,试样较未掺杂试样获得了更大的ZT值.掺入Pb改善改善电输运性能,获得更高的ZT值.

关键词：Pb掺杂、放电等离子体烧结、Mg3Sb2材料、微观组织、热电性能

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资助基金：国家自然科学基金资助;河南省教育厅项目资助

在线出版日期：2021-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：45-49