大功率IGBT散热基板熔融超高热等静压制备技术

摘要：

铝碳化硅复合材料因其高热导率、低热膨胀率等特性被广泛应用于大功率集成电路封装材料中.本文以压力浸渗法及热等静压法原理为基础,提出一种制备大功率IGBT铝碳化硅散热基板的新型工艺.该工艺创新点在于:(1)无需制备碳化硅预制块,直接灌装碳化硅干粉,碳化硅体积分数可稳定为66％～68％:(2)基板6个外表面均覆盖铝质金属,可实施机械及化学镀镍加工;(3)超高热等静压与真空压铸工艺相结合,渗铝时保压压强达100MPa左右,可使铝液更好地渗透到碳化硅粉料中,显著减少了气孔、气泡等缺陷,性能更佳.根据检测结果,利用该新工艺,制备的散热基板热导率高达220W/m·K左右,热膨胀系数为6.5×10-6～7.5×10 6/K,其它各项指标均符合使用要求.

关键词：封装材料、压力浸渗法、热等静压法、碳化硅体积分数、预制块

所属期刊栏目：30

资助基金：江苏省科技成果转化专项资金资助项目BA2014070

在线出版日期：2020-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：93-96